們生產加工IC級4英寸熱氧化單晶拋光硅片
等級：Prime
生長方式：CZ/FZ
直徑:100mm+/-0.2mm
導電類型/摻雜 P/Boron N/Phos
晶向：<100> <110> <111>
電阻率（歐姆厘米）： (0.0001 - 0.9 ）/(1 - 10)/ (10 - 100)/ >100
厚度(um)：525+/-15 可定制
氧化層厚度（納米nm）5nm 50nm 100nm 285nm 300nm 1000nm可定制
氧化層厚度均勻度 < 5%
表面/背面： 拋光/腐蝕 拋光/拋光
位錯:無
晶體缺陷：無
少子壽命(us)：電子級
本網頁所展示的有關【IC級4英寸熱氧化單晶拋光硅片_硅片_深圳市瑞源新能源科技有限責任公司】的信息/圖片/參數等由環球新能源網的會員【深圳市瑞源新能源科技有限責任公司】提供，由環球新能源網會員【深圳市瑞源新能源科技有限責任公司】自行對信息/圖片/參數等的真實性、準確性和合法性負責，本平臺（本網站）僅提供展示服務，請謹慎交易，因交易而產生的法律關系及法律糾紛由您自行協商解決，本平臺（本網站）對此不承擔任何責任。您在本網頁可以瀏覽【IC級4英寸熱氧化單晶拋光硅片_硅片_深圳市瑞源新能源科技有限責任公司】有關的信息/圖片/價格等及提供【IC級4英寸熱氧化單晶拋光硅片_硅片_深圳市瑞源新能源科技有限責任公司】的商家公司簡介、聯系方式等信息。
在您的合法權益受到侵害時，歡迎您向376937475@qq.com郵箱發送郵件，或者進入《網站意見反饋》了解投訴處理流程，我們將竭誠為您服務，感謝您對環球新能源網的關注與支持！
19529947047
通過認證 
